芯片漏电是失效分析案例中最常见的微漏电点定位技术EMMI

微漏电点定位技术EMMI介绍：对于故障分析而言，微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination会放出光子（Photon）。如在P-N结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴（或N端的电子）做EHP Recombination。

微漏电点定位技术EMMI应用范围：

故障点定位、寻找近红外波段发光点

微漏电点定位技术EMMI测试内容：

1.P-N接面漏电；P-N接面崩溃

2.饱和区晶体管的热电子

3.氧化层漏电流产生的光子激发

4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD

芯片漏电是失效分析案例中最常见的，找到漏电位置是查明失效原因的前提，液晶漏电定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光诱导等手段是工程人员经常采用的手段。多年来，在中国半导体产业有个误区，认为激光诱导手段就是OBIRCH。今日小编为大家科普一下激光诱导（laser scan Microscope).

     目前激光诱导功能在业内普遍被采用的有三种方法，这三种方法分别被申请了专#利（日本OBIRCH、美国TIVA、新加坡VBA）。国内大多数人认为只有OBIRCH才是激光诱导，其实TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技术。三种技术都是利用激光扫描芯片表面的情况下，侦测出哪个位置的阻抗有较明显变化，这个位置就可能是漏电位置。侦测阻抗变化就是用电压和电流来反映，下面是三个技术原理：

                  1、OBIRCH和TIVA

如上图是一个器件的漏电回路，R1代表漏电点的阻抗，I1代表回路电流，V代表回路上的电压。

OBIRCH；给器件回路加上一个电压V，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测回路电流I1的变化.

TIVA：给器件回路加上一个微小电流I1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测回路电压V的变化.

2、VBA技术

如上图是一个器件的漏电回路，R1代表漏电点的阻抗，I1代表回路电流，V1代表回路上的电压，R2是串联在回路中的一个负载，V2是R2两端的电压。

OBIRCH；给器件回路加上一个电压V1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测V2的变化(V2/R2=I1，其实也是监测I1的变化），这样大家可以看出来了，VBA其实就是OBIRCH，只是合理回避了NEC专#利。