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聚焦离子束显微镜FIB设备技术指标：

1、电子束电流范围：1 pA - 400 nA；

2、电子束电压：200eV-30 keV，具有减速模式

3、电子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV)

4、大束流Sidewinder离子镜筒；

5、离子束加速电压500V-30kV（分辨率：3.0 nm）；

6、离子束束流1.5pA-65nA，15孔光阑。

什么是聚焦离子束显微镜FIB：

FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam）是将液态金属离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像，此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似，或用强电流离子束对表面原子进行剥离，以完成微、纳米级表面形貌加工。

聚焦离子束显微镜FIB服务范围：

半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析，成分分析，工业和理论材料研究，半导体，数据存储，自然资源等领域。

聚焦离子束显微镜FIB配置情况：

1、GIS气体注入：Pt沉积

2、ETD SE、T1（筒内低位）、T（高位）探头

3、Nav-camTM：样品室内光学导航相机

4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。

聚焦离子束显微镜FIB设备简介

FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的基础上进行了升级，更加适用于金属、复合材料和涂层，特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度，大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式，可以设定程序，降低操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台，XY轴具有110mm移动范围，Z方向具有85mm升降空间。

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